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Wuhan Corrtest Instruments Corp., Ltd.
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갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M

제품 세부 정보

원래 장소: 무한, 중국

브랜드 이름: Corrtest

인증: CE, ISO9001

모델 번호: CS350M

지불 및 배송 조건

최소 주문 수량: 1SET

가격: 협상 가능

포장 세부 사항: 표준 박스

배달 시간: 5 ~ 10 일

지불 조건: t/t, d/p

공급 능력: 1세트/년

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강조하다:

포텐티오스타트 갈바노스타트 CS350M

,

갈바노스타틱 충전 방출 전력계

,

ISO9001 포텐시오스타트 및 갤바노스타트

이름:
단일 채널 전력계
잠재적 제어 범위:
± 10V
전류 제어 범위:
±2암페어
잠재적 제어 정확도:
0.1%×전 범위±1mV
전류 제어 정확도:
0.1%×전체 범위
잠재적 해결책:
10μV(>100Hz),3μV(<10Hz)
현재 감도:
1PA
상승 시간:
<1μS (<10mA), <10μS (<2A)
기준 전극 입력 임피던스:
1012Ω||20pF
이름:
단일 채널 전력계
잠재적 제어 범위:
± 10V
전류 제어 범위:
±2암페어
잠재적 제어 정확도:
0.1%×전 범위±1mV
전류 제어 정확도:
0.1%×전체 범위
잠재적 해결책:
10μV(>100Hz),3μV(<10Hz)
현재 감도:
1PA
상승 시간:
<1μS (<10mA), <10μS (<2A)
기준 전극 입력 임피던스:
1012Ω||20pF
갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M

갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M의 장점갈바노스태틱 충방전(GCD), 순환 전압 전류법(CV), EIS, 실시간 데이터 저장을 갖추고 있어 에너지 및 배터리 분야에서 이상적인 전기화학 포텐시오스탯입니다. 또한, 갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M은 부식, 전기 촉매, 바이오 센서, 전기 도금, 전기 분석 등 다양한 다른 전기화학 분야에서도 사용할 수 있습니다. 전류 부스터 CS2020B/CS2040B를 사용하면 전류를 최대 20A/40A까지 증폭할 수 있습니다.갈바노스태틱 충방전 원리 Corrtest CS Studio의 명확한 인터페이스 (갈바노스태틱 충방전(GCD)용)

갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M 0

갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M 1

갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M의 장점실시간 데이터 저장실험 데이터는 실시간으로 저장될 수 있습니다. 테스트가 정전으로 중단되더라도 데이터는 자동으로 저장됩니다.

전기화학 임피던스 분광법(

 

갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M 2

EIS

 

)● 정전류 캐리어 및 DC 바이어스 기술을 통해 갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M은 충전 및 방전 상태에서 배터리 임피던스 측정에 사용할 수 있으며, 초저저항 시스템(예: 18650 배터리, 소프트 팩 배터리, 배터리 셀 등)에 적합합니다.

● 갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M은 상관 적분 알고리즘과 듀얼 채널 오버샘플링 기술을 사용하며 강력한 간섭 방지 기능을 갖추고 있습니다. 기기의 내부 저항은 최대 10

13

Ω입니다. 고임피던스 시스템의 EIS 측정에 적합합니다.안정 분극 개방 회로 전위 (OCP)

소프트웨어 개발 키트(SDK)

Labview, C, C++, C#, VC 등에서 데이터 호출을 실현할 수 있는 2차 개발 인터페이스, API 일반 인터페이스 및 개발 예제를 제공할 수 있습니다.고전류, 고순응 옵션● CS2020B/CS2040B 부스터를 사용하면 갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M의 전류를 20A/40A로 증폭할 수 있으며, 이는 연료 전지, 전력 배터리, 전기 도금 등의 요구 사항을 충족합니다.

다양한 데이터 분석

CS Studio는 갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M의 실험 제어 및 데이터 분석을 위한 소프트웨어입니다. 다중 매개변수 Tafel 곡선 피팅, 전압 전류 곡선 유도, 적분 및 피크 높이 분석, EIS 등가 회로 사용자 정의 및 임피던스 스펙트럼 피팅 등을 수행할 수 있습니다.

● GCD 비축전 용량, 효율

● EIS 등가 회로 피팅

갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M 3● CV 분석

● 유사 축전 용량 계산

 

● Mott-Schottky 플롯 분석

● 다중 매개변수 분극 곡선

● 전기화학 노이즈 분석

조합 테스트

CS Studio 소프트웨어는 다양한 실험의 조합 테스트를 지원하여 유연하고

무인 테스트를 실현합니다. 각 실험의 매개변수를 미리 설정할 수 있으며, 실험실에 계속 머물 필요 없이 다양한 실험이 자동으로 수행됩니다.

조합 테스트: 유사 축전기 테스트

갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M의 소프트웨어 기능

순환 전압 전류법:

 

CS Studio 소프트웨어는 사용자에게 다목적 스무딩/미분/적분 키트를 제공하여 CV 곡선의 피크 높이, 피크 면적 및 피크 전위 계산을 완료할 수 있습니다. CV 기술에서 데이터 분석 중 특정 사이클을 선택하여 표시하는 기능이 있습니다.

배터리 테스트 및 분석:

충방전 효율, 용량, 비축전 용량, 충방전 에너지.

 

갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M 4

EIS 분석:

 

Bode, Nyquist, Mott-Schottky 플롯

 

EIS 데이터 분석 중 사용자 정의 등가 회로를 그리기 위한 내장 피팅 기능이 있습니다.갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M의 사양

갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M 5

2극, 3극 또는 4극 시스템 지원

전위 및 전류 범위: 자동

갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M 6

전위 제어 범위: ±10V전류 제어 범위: ±2A

전위 제어 정확도: 0.1%×전체 범위±1mV

갈바노스타틱 충전 방출 전력계 및 갈바노스타트 CS350M 7

 

 

전류 제어 정확도: 0.1%×전체 범위전위 해상도: 10μV (>100Hz), 3μV (<10Hz)
전류 감도: 1pA 상승 시간:
<1μs ( <10mA),
<10μs ( <2A)
기준 전극 입력 임피던스: 1012 Ω||20pF
전류 범위: 2nA~2A, 10개 범위순응 전압: ±21V최대 전류 출력: 2ACV 및 LSV 스캔 속도: 0.001mV~10,000V/sCA 및 CC 펄스 폭: 0.0001~65,000s 스캔 중 전류 증가: 1mA@1A/ms스캔 중 전위 증가: 0.076mV@1V/msSWV 주파수: 0.001~100 kHz
DPV 및 NPV 펄스 폭: 0.0001~1000s AD 데이터 수집: 16비트@1 MHz, 20비트@1 kHz
DA 해상도: 16비트, 설정 시간: 1μs CV의 최소 전위 증가: 0.075mV
IMP 주파수: 10μHz~1MHz 저역 통과 필터: 8개 옥타브 포함
운영 체제: Windows 10/11 인터페이스: USB 2.0
무게 / 측정: 6.5kg, 36.5 x 30.5 x 16 cm EIS (전기화학 임피던스 분광법)
신호 발생기 주파수 범위: 10μHz~1MHz
AC 진폭: 1mV~2500mV DC 바이어스: -10~+10V
출력 임피던스: 50Ω 파형: 사인파, 삼각파 및 구형파
파형 왜곡:
<1%
스캔 모드: 로그/선형, 증가/감소
신호 분석기 적분 시간: 최소: 10ms 또는 한 사이클의 가장 긴 시간
최대: 10 6
사이클 또는 10 5s
측정 지연: 0~10
5
s DC 오프셋 보상전위 자동 보상 범위: -10V~+10V전류 보상 범위: -1A~+1A배터리 충방전포텐시오스태틱 EIS 대 시간 (단일 주파수)
배터리 테스트배터리 충방전포텐시오스태틱 EIS 대 시간 (단일 주파수)
포텐시오스태틱 충방전 (PCD)
포텐시오스태틱 간헐적 적정법 (PITT) 갈바노스태틱 간헐적 적정법 (GITT)
전기화학 임피던스 분광

 

법 (

 

EIS

  • )
  • 포텐시오스태틱 EIS (Nyquist, Bode)
  • 갈바노스태틱 EIS
  • 포텐시오스태틱 EIS (선택 주파수)
  • 갈바노스태틱 EIS (선택 주파수)

Mott-Schottky포텐시오스태틱 EIS 대 시간 (단일 주파수)갈바노스태틱 EIS 대 시간 (단일 주파수)안정 분극 개방 회로 전위 (OCP)

  • 포텐시오스태틱 (I-T 곡선)
  • 갈바노스태틱
  • 포텐시오다이나믹 (Tafel 플롯)
  • 갈바노다이나믹 (DGP)
  • 과도 분극
  • 다중 전위 단계
  • 다중 전류 단계

전위 계단 (VSTEP)

  • 갈바닉 계단 (ISTEP)
  • 크로노 방법
  • 크로노포텐시오메트리 (CP)
  • 크로노암페로메트리 (CA)
  • 크로노쿨로메트리 (CC)

전압 전류법

  • 선형 스윕 전압 전류법 (LSV)
  • 순환 전압 전류법 (CV)
  • 계단 전압 전류법 (SCV) #
  • 구형파 전압 전류법 (SWV) #

차분 펄스 전압 전류법 (DPV) #

  • 정상 펄스 전압 전류법 (NPV) #
  • 차분 정상 펄스 전압 전류법 (DNPV) #
  • AC 전압 전류법 (ACV)

2

  • 고조파 AC 전압 전류법 (SHACV)
  • 푸리에 변환 AC 전압 전류법 (FTACV)
  • 부식 측정
  • 순환 분극 곡선 (CPP)
  • 선형 분극 곡선 (LPR)
  • 전기화학 포텐시오키네틱 재활성화 (EPR)
  • 전기화학 노이즈 (EN)
  • 제로 저항 전류계 (ZRA)표준 공급품 갈바노스태틱 충방전 포텐시오스탯 CS350M
  • CS350M 포텐시오스탯 갈바노스탯 *1

CS Studio 소프트웨어*1

  • 전원 케이블 x1
  • USB 케이블 x1
  • 셀/전극 케이블 x2
  • 더미 셀 (1kΩ||100μF) x1
  • 설명서